G32R501系列

G32R5系列实时控制MCU搭载Arm v8.1-M架构的Arm® Cortex®-M52内核及自研紫电数学指令扩展单元,支持基于矢量扩充方案(MVE)的Arm HeliumTM技术,集成高性能感知,控制外设和灵活的外设互联系统,支持-40°C~105°/125°C的宽环境工作温度,适用于新能源逆变器、商业电源、工业自动化、新能源汽车等广泛领域。

G32R501系列封装路线图

性能参数

系统

  • Arm® Cortex®-M52双核
  • 工作主频: 250MHz
  • 内置自研紫电数学指令扩展单元
  • 支持Arm HeliumTM技术
  • 支持单/双精度FPU
  • 支持DSP

存储

  • Flash 640KB
  • SRAM 128KB
  • 支持Flash ECC、片上存储器奇偶校检保护、双重区域安全性

时钟和系统控制

  • 内部零引脚10MHz振荡器×2
  • 片上晶振振荡器和外部时钟输入
  • 窗口看门狗计时器模块
  • 丢失时钟检测电路

模拟外设

  • 3.45MSPS 12-bit ADC ×3
  • T-sensor ×1
  • 缓冲DAC ×2
  • 内置12-bit DAC的比较器×7

控制外设

  • 增强型CAP模块 ×7
  • 150ps PWM通道 ×16
  • 正交编码器脉冲QEP模块 ×2
  • Σ-Δ滤波器模块(SDF) ×4
  • 灵活逻辑块FLB×4

通信外设

  • UART×2
  • CAN×2
  • I2C×1
  • SPI×2
  • LIN×1
  • PMBus×1
  • QSPI×1

高安全

  • 丢失时钟检测电路
  • 代码安全模块
  • 安全启动单元

高可靠

  • IEC 61508 SIL2
  • AEC-Q100 Grade1

封装

  • QFN56, LQFP64/80/100

选型工具

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对比
Part No.
Core
Zidian Math
Instruction Extension
Frequency(MHz)
DMA Channels
FLASH(KB)
SRAM(KB)
FPU
Voltage(V)
Operating Temperature(℃)
GPTMR(32bit)
NMIWD
WWDT
ADC 12-bit Cell
ADC 12-bit Channels
T-sensor
COMP(DAC 12-bit Cell Embedded)
CAP(HRCAP)
PWM (HRPWM Channels)
QEP
SPI
QSPI
I2C
UART
CAN(CANFD)
SDF Channels
LIN
USB Device
I/Os
DAC 12-bit Cell
PMBus
Package

模块框图

技术文档

格式 大小
G32R501数据手册 数据手册 V1.9 pdf 13.17 MB 2026年09月21日
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设计资源

硬件开发工具
软件开发工具
产品
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G32R501 Micro-EVB 开发板
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